Sistema de cilindro de suministro de vapor de precursor líquido para deposición de capas atómicas (ALD), acero inoxidable 304L, cilindro DOT-3E-1800 de 150 cm³

En los procesos de deposición química en fase vapor (CVD), deposición química en fase vapor metalorgánica (MOCVD) y deposición de capas atómicas (ALD), se requiere el suministro controlado de vapor en fase gaseosa a partir de un precursor líquido. Estos cilindros de suministro de vapor líquido incorporan un burbujeador integrado para contener el vapor precursor en un flujo de gas amortiguador. Están fabricados en acero inoxidable 316 resistente a productos químicos y cuentan con válvulas de bola de ¼ de vuelta en la entrada y la salida. El cilindro soporta una presión de hasta 1800 PSI (a 37 °C).

La presión máxima nominal del cilindro varía según la temperatura. NO presurice los cilindros por encima de sus respectivos límites de temperatura.

La dirección del flujo está impresa en cada válvula. Cuando el gas de amortiguación fluye en la dirección correcta hacia el proceso de deposición, se forman burbujas en el fondo del cilindro que ascienden a través del líquido precursor. Esto permite un flujo constante y uniforme de vapor precursor diluido en el gas de amortiguación, que suele ser helio, neón o argón. Estos cilindros de suministro de vapor precursor líquido pueden ser térmicos o refrigerados para controlar la presión y la concentración del precursor. Esto permite generar una concentración de flujo precisa.

Las válvulas de entrada y salida son válvulas de bola con conexión Swagelok® de ¼ de pulgada, que no están diseñadas para líquidos pirofóricos. Para aplicaciones ALD con líquidos pirofóricos altamente inflamables, nuestros cilindros de suministro se actualizan con válvulas de diafragma para mayor seguridad, lo que permite su uso con líquidos pirofóricos como el trimetilaluminio (TMA), el trietilaluminio (TEA), el dietilzinc (DEZn) y el trimetilgalio (TMGa).